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Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二極管

閱讀次數(shù):269    發(fā)布時間:2025-07-29 17:15:57

威世科技Vishay近日宣布,其第三代650V與1200V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品線進一步擴充,新增三款采用超薄型SlimSMA HV(DO-221AC)封裝的器件——包括2A規(guī)格的VS-3C02EJ07-M3、1A的VS-3C01EJ12-M3以及2A的VS-3C02EJ12-M3。該系列產(chǎn)品基于合并PIN肖特基(MPS)技術(shù)構(gòu)建,封裝本體最小爬電距離達到3.2mm,不僅具備低電容電荷特性,還實現(xiàn)了幾乎不隨溫度變化的開關(guān)性能,有助于顯著提升高速硬開關(guān)電源架構(gòu)的運行效率。

針對高壓工作環(huán)境,這些新型二極管通過增大封裝爬電距離強化了電氣絕緣能力,同時封裝采用CTI 600級別的模塑材料,進一步保障了高絕緣可靠性。在空間敏感型設(shè)計中,其封裝厚度僅為0.95mm,遠低于同級別SMA/SMB封裝器件普遍2.3mm的厚度,為緊湊布局提供了更大靈活性。

與常規(guī)硅基二極管相比,VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在全溫度范圍內(nèi)可將容性電荷穩(wěn)定控制在7.2nC的低水平,有助于實現(xiàn)更快的開關(guān)速率、降低動態(tài)損耗,從而優(yōu)化高頻電路能效。此外,該系列器件幾乎不存在反向恢復(fù)電流拖尾現(xiàn)象,結(jié)合MPS技術(shù)將正向壓降降至1.30V,進一步提升了整體能效表現(xiàn)。

該系列二極管支持最高+175℃工作結(jié)溫,主要面向服務(wù)器電源模塊中的DC/DC與AC/DC變換電路,適用于自舉二極管、阻斷二極管及PFC二極管等角色,同時也廣泛適用于發(fā)電與儲能系統(tǒng)、工業(yè)驅(qū)動裝置、電動工具以及X射線發(fā)生設(shè)備。得益于其正溫度系數(shù)特性,這些器件在多管并聯(lián)應(yīng)用時能夠?qū)崿F(xiàn)良好的電流均流效果。

該系列產(chǎn)品符合RoHS標準,不含鹵素,濕度敏感度等級達到MSL 1,滿足J-STD-020封裝可靠性標準與JESD 201二級晶須測試要求,適用于高可靠性應(yīng)用場景。


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