Powerex HVIGBT 具有高度絕緣的外殼，通過(guò)更大的爬電距離和撞擊間隙距離為許多要求苛刻的應(yīng)用（如中壓驅(qū)動(dòng)器和輔助牽引應(yīng)用）提供增強(qiáng)的保護(hù)。

Powerex 自制器件的 Powerex IGBT/HVIGBT 系列采用 CSTBT（載流子存儲(chǔ)溝槽柵雙極晶體管）技術(shù)，支持工業(yè)應(yīng)用所需的降低功率損耗和小型化。Powerex HVIGBT 和 HV 二極管具有高度絕緣的外殼，通過(guò)更大的爬電距離和沖擊間隙距離為許多要求苛刻的應(yīng)用（如中壓驅(qū)動(dòng)器和輔助牽引應(yīng)用）提供增強(qiáng)的保護(hù)。

• -40 至 150°C 擴(kuò)展溫度范圍
• 100% 動(dòng)態(tài)測(cè)試
• 100% 局部放電測(cè)試
• Mitsubishi R 系列芯片技術(shù)
• 低熱阻抗的氮化鋁 (AlN) 陶瓷基板
• 將電流范圍擴(kuò)大到三菱 HVIGBT 功率模塊的互補(bǔ)產(chǎn)品陣容
• 銅基板
• 爬電距離和電氣間隙符合 IEC 60077-1
• 堅(jiān)固的 SWSOA 和 RRSOA